自2010年(nian)后，卧(wo)底的诱引退步🐼(bu)被认为是招(zhao)致(zhi)功能(neng)问(wen)题的基本(ben)理(li)由(you)的一个(ge)。使用弗劳恩(en)霍夫CSP开创的新手攻略艺，和(he)弗莱贝格测试仪(yi)器工(gong)司(si)的台(tai)式(shi)一体(ti)机小东西PIDcon，并能(neng)对太阳光能(neng)蓄电(dian)池(chi)和(he)微形(xing)模块的PID敏(min)理(li)智(zhi)中断测试软件(jian)，此(ci)时此(ci)刻(ke)已付出整个(ge)市场。 

把握较多相(xiang)对 P🃏ID的(de)理(li)由和若(ruo)何专题会太阳时能电(dian)(dian)板(ban)、徵型电(dian)(dian)源模块和打包封装知料(liao)的(de)敏(min)更明智(zhi)。

PID-s的物理性子

🙈电(dian)势诱惑退步（PID）是在晶胞硅(gui)插件中查看到(dao)的(de)较高概率的(de)退步美景的(de)一(yi)种(zhongಌ)。在领(ling)悟并轨型(xing)PID（PID-s）的(de)基(ji)础管理机制方向已拿到(dao)了有很大停(ting)顿。

PID-s的力学急性子

在场所，版块(kuai)中的(de)前窗户(hu)玻璃外(wai)表面(mian)和太阳什(shen)么的(de)光能干ꩲ(gan)电(dian)(dian)芯两者(zhe)能会形(xing)成(cheng)不大的(de)电(dian)(dian)位差，硅太阳什(shen)么的(de)光能干(gan)电(dian)(dian)芯的(de)p-n结会形(xing)成(cheng)并轨，而使造成(cheng)的(de)电(dian)(dian)阻效(xiao)率(lv)和效(xiao)率(lv)输人起飞。

以下模子是由[1]提出的：

模组中来源于的(de)高场强(qiang)原因分(fen)析Na+漂(piao)移经过发展SiNx层。钠化合物(wu)在SiNx/Si介面(mian)（SiOx）竖(shu)向不(bu)(bu)集中，并(bing)装潢(huang)了(le)重重叠叠不(bu)(bu)足。pn结通过线(xian)程(cheng)池超高装潢(huang)的(de)聚(ju)积(ji)断层线(xian)的(de)弱项状态(tai)被分(f🐎en)离(li)（线(xian)程(cheng)池1），的(de)，这(zhei)是因为消耗殆(dai)尽(jin)区的(de)弊端的(de)现象的(de)合拼多线(xian)程(cheng)，J02带来（阶(jie)段2）。请(qing)关注着，Na亚铁离(li)子应(ying)是出自(zi)Si看上去而不(bu)(bu)再(zai)是玻璃窗。

是以(yi)，控(kong)制(zhi)模块的易理性主义至(zhi)关重要(yao)决🌜定于SiNx层和钢化玻璃和EVA箔(bo)的阻值(zhi)率。

[1] V. Naumann et al., The role of stacking faults for the formation of shunts during potential induced degradation (PID) of crystalline Si solar cells, Phys. Stat. Solidi RRL 7, No. 5 (2013) 315-318