高分辩率 X 光谱线衍射 (HRXRD) 不是种变化的无损音乐检验体例，其研究東西首如果是单晶硅体硅质料、单晶硅体硅涵养贴膜质料和各种各样低维半导体技术行业异质构造。席卷适采用单晶硅体硅品質、涵养贴膜的层厚、类物质、晶胞技术性能、弱点、失配、弛豫、应力比等构造技术性能的测式。古时候HRXRD与习惯XRD的识别重中之重具体表现在：（1）极高水平线且极高彩色的高品質X光谱线；（2）不唯有测式倒易格点的战略地位（方向），还是测式倒易格点的内部结构（弱点）；（3）极高的实际上上中请-再生资源学实际上上。GaN做第四代半导体技术行业，近日适采用功率自动化、高频率元件和有光场效应管 (LED) 技术等浩繁支配中。本报告格式先容了HRXRD在GaN LED仿品中的支配。仿品由 6 层InGaN/GaN 量子阱 (QW) 结构，假造 GaN 衬底上成长 在 2 4英寸蓝黄宝石晶片上。本文仿品测式是在瑞士布鲁克D8 ADVANCE X光谱线衍射仪上体现的，该机器设备使用传奇装备摆置了HRXRD摸块。

2theta/omega扫描

2theta/omega扫锚代替监测倾斜角于相貌的原子核层的有关散射，可代替必然In的成分，面外晶胞规格、料厚等规格。测验得到Ge（004）彩色器，林克斯试探器0D内容。图 1 显出了 GaN (0002) 晶面的 2theta/omega 复印机扫描图谱，可看得出较着的超晶格荡峰和超晶格峰范围内的薄膜和珍珠棉干与横条。

图 1 GaN (0002) 晶面的 2theta/omega扫描图谱。

倒空间强度散布（RSM）

RSM是准确的阐发塑料bopp薄膜与衬底失配干系和塑料bopp薄膜短处的体例。以往的HRXRD上采集两张RSM需要好多个乃至于几百个小时英文。现实情况最常常可能机时的限制，没法才能得到RSM。传统HRXRD使用1D观测器可能很大程度前进了测评传输速率，快收罗两张RSM只需要几百秒。图2中，凸显了GaN （11-24）晶面的RSM，测评之前为30min。 

图2 GaN(11-24) 晶面的倒空间强度散布图（RSM）

图2中，RSM 里面有倒格点在面内（（110）标志需求）标志需求在统一标准整体素质，表明量子阱三层膜InGaN是在 GaN 衬底上共格晶进步的。 这与GaN (0002) 晶面质量上乘质量2theta/omega复印机扫描产生分歧。另外，RSM中GaN倒格点形朝着面内展宽，表明介面处问题较多。而每一位个超晶格倒格点无较着展宽，表明超晶格间问题较少。 

2theta/omega 图谱拟合成果 

图3 GaN (0002) 2theta/omega扫描拟合图谱。蓝色：拟合值；玄色：测试值。

图3中是 研究背景表1中的平面布置模具，对2theta/omega扫面关闭全谱线性曲线曲线拟合曲线的成功。可看见线性曲线曲线拟合曲线图谱与测评大数据贴合很是好。超晶格峰与线性曲线曲线拟合曲线值互相的狗瘟差值也能是由敞开心扉的线性曲线曲线拟合曲线模具未斟酌In成分的变更申请。InGaN 层中的超晶格板材的厚度和In分量都也能很是切确地确实。In的分量是发展进步程序运行中的一名一般技术指标。 是以，HRXRD 是监管推积程序运行的乏力商品。

表1 GaN (0002) 2theta/omega扫描拟合模子及成果