聚焦离子束（Focused Ion beam，简称FIB）手艺是操纵静电透镜将离子束聚焦成很是小尺寸的显微切割手艺。离子束轰击样品时，其动能会通报给样品中的原子/份子，发生溅射效应，从而到达不时蚀刻，进而切割样品的成果。FIB对固体部分地区内停止高精度的切割和加工后，借助飞翔时候二次离子质谱仪（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，简称TOF-SIMS），就能够或许或许完成对该地区的原位、高活络度的化学成份阐发，从而获得样品“由表及里"的丰硕的化学信息。

FIB-TOF功效先容

PHI nanoTOF仪器能够或许或许经由进程FIB-TOF来完成截面样品的制备和化学阐发，有以下两种体例：
体例一：PHI nanoTOF仪器操纵装备的Ga源FIB配件停止FIB处置。颠末Ga源停止切确的FIB加工后，随后间接停止TOF-SIMS阐发（见图1a）。值得一提的是，在Ga源停止FIB加工时，还能获得FIB加工地区的3D影象；另外，Ga源还能够或许或许作为TOF-SIMS阐发源（即一次离子源）停止TOF-SIMS阐发。

体例二：对新的型(xing)号的PHI nanoTOF3+仪器，作(zuo)为低级离子(zi)源的液态金(jin)属离子(zi)源，还(hai)可兼具FIB功(gong)效，操纵统一离子(zi)源就能够(gou)或(huo)许(xu)或(huo)许(xu)够(gou)完成(cheng)对样品停止截(jie)面加(jia)工(gong)(gongꦯ)和横截(jie)面的TOF-SIMS阐(chan)发。如图1b和1c所示，经由进程PC端(duan)节制，用(yong)户能够(gou)或(huo)许(xu)或(huo)许(xu)轻松、疾速(su)🦄地完成(cheng)从FIB处置到(dao)TOF-SIMS阐(chan)发的全进程。另外(wai)，PHI nanoTOF3+还(hai)撑持在冷却前(qian)提下停止FIB加(jia)工(gong)(gong)。

图1. FIB-TOF任务的表示图

FIB-TOF的操纵

FIB加工均揭示出杰出的合用性；另外一方面也标明了一样巨细的离子束前提下，Bi离子的磨削速度高于Ga离子。

图2. 石墨a)、Cu-W合金b)的FIB-TOF图象；c) Bi和Ga离子对各类资料的Milling Rate对比表。