X-X射线光电产品材(cai)料子(zi)能谱（XPS）和(he)俄(e)(e)(e)歇(xie)自动(dong)化能谱（AES）几乎都是绝大多数采用(yong)于个人信(xin)息要素制♔成的外形阐发手工艺(yi)，离别依靠(kao)应用(yong)程序光电产品材(cai)料子(zi)作(zuo)用(yong)峰(feng)和(he)俄𝓰(e)(e)(e)歇(xie)自动(dong)化作(zuo)用(yong)峰(feng)识别要素。是，XPS全谱中所显出俄(e)(e)(e)歇(xie)峰(feng)伴峰(feng)，为赞助商宗师更多明白XPS的俄(e)(e)(e)歇(xie)峰(feng)和(he)AES俄(e)(e)(e)歇(xie)谱，此文将对相对真理的有(you)措施、谱图作(zuo)用(yong)及基本的差别停下(xia)准确论(lun)述题。

俄歇电(dian)子器(qi)件的(de)有机理: XPS与AES的(de)时尚基(ji)本

俄歇电子设备(bei)时有发生速(su)度可划分为多(duo)个关头步(bu)：

1. 空位定义：X電(dian)(dian)子束(shu)（XPS）或(huo)源能(neng)電(dian)(dian)子束(shu)（AES）挑起里边(bian)電(dian)(dianཧ)子逸出，搭建電(dian)(dian)子空位（如K壳层(ceng)）;

2. 电子(zi)(zi)器件跃迁：表层(ceng)电子(zi)(zi)设备（如L壳(qi🌞ao)层(ceng)）挽救空(kong)位，开(kai)释体力ΔE = EK -💜 EL;

3. 卡路里适(shi)当(dang)转(zhuan🅷)移：开释(shi)的体力依靠的进程两者体例耗散：

(1) 荧光X光谱线：以电子束局势辐射源(yuan)能量消耗（特(te)性X光谱线）。

(2) 俄歇(xie)电(dian)子(zi)元(yuan)器件(jian)(jian)元(yuan)器件(jian)(jian)：电(dian)量传递至单独(du)一外面(mian)电(dian)子(zi)元(yuan)器件(jian)(jian)元(yuan)器件(jian)(jian)（如L'壳层(ceng)），使其跳出电(dian)子(zi)层(ceng)。

而(er)能(neng)(neng)(neng)知，俄(e)歇智能(neng)(neng)(neng)電(dian)子(zi)(zi)(zi)设备(bei)技(ji)术(shu)(shu)厂(chang)的引发(fa)触到到以下3个(ge)能(neng)(neng)(neng)级（如(ru)图是1表达），离别时是：引发(fa)空位的能(neng)(neng)(neng)级（如(ru)K壳(qiao)(qiao)层(ceng)）、引发(fa)智能(neng)(neng)(neng)電(dian)子(zi)(zi)(zi)设备(bei)技(ji)术(shu)(shu)厂(chang)回填的能(neng)(neng)(neng)级（如(ru)L壳(qiao)(qiao)层(ceng)）、重大成就出射智能(neng)(neng)(neng)電(dian)子(zi)(zi)(zi)设备(bei)技(ji)术(shu)(shu)厂(chang)的能(neng)(neng)(neng)级（如(ru)L'壳(qiao)(qiao)层(ceng)），所以俄(e)歇峰只要是会由以下3个(ge)字(zi)母(mu)a来具体表现（如(ru)：KLL），且俄(e)歇智能(neng)(neng)(neng)電(dian)子(zi)(zi)(zi)设备(bei)技(ji)术(shu)(shu)厂(chang)的电(dian)能(neng)(neng)(neng)也由这以下3个(ge)智能(neng)(neng)(neng)電(dian)子(zi)(zi)(zi)设备(bei)技(ji)术(shu)(shu)厂(chang)能(neng)(neng)(neng)级草案：EKLL= EK - EL - EL’。

图1. XPS 中俄歇電(dian)子(zi)的(de)挑(tiao)起守护进程。

图2. AES中俄歇(xie)電(dian)子吸(xi)引住(zhu)程序。

从XPS图谱(pu)中俄歇(xie)的(de)带来(lai)(lai)（见图1）和AES图谱(pu)中俄歇(xie)的(de)带来(lai)(lai)（见图2）启示分析，其实两者除结构空位的(de)入(ru)射(she)源（XPS：X-ray VS AES：光学(xue)元器件束(shu)）不似🌟(si)(si)的(de)外，退带来(laꦓi)(lai)造成俄歇(xie)光学(xue)元器件的(de)线程(cheng)池和俄歇(xie)光学(xue)元器件能量(liang)转换皆是似(si)(si)的(de)的(de)。

XPS中(zhong)的俄歇峰(feng)基本特征

X放(fang)放(fang)射线激发(fa)出情(qing)况微电子(zi)(zi)技术子(zi)(zi)，伴(ban)带着退激发(fa)出任务管理器情(qing)况俄歇(xie)电子(zi)(zi)技术，因此在XPS全谱中(zho💫ng)(zhong)除芯能级谱峰外，还是会查看苹果手(shou)机♊到俄歇(xie)伴(ban)峰，够或搅扰属(shu)(shu)性识别。X放(fang)放(fang)射线微电子(zi)(zi)技术子(zi)(zi)能谱（XPS）中(zhong)(zhong)的(de)俄歇(xie)伴(ban)峰是阐发(fa)材(cai)质外观药剂学态的(de)通常内容(rong)，特备在Cu、Zn、Ag等属(shu)(shu)性的(de)药剂学态查摆中(zhong)(zhong)必(bi)备条(tiao)件上风。

明显可(ke)见的(de)对Cu⁰（合金）和(he)Cu₂O，Cu 2p₃/₂的(de)XPS谱(pu)图(tu)取得联(lian)系能左右(you)，真(zhen)难简接(jie)经(jing)过(guo)(guo)速度(du)XPS谱(pu)峰中止分辨，就(jiu)会经(jing)过(guo)(⛎guo)速度(du)俄歇基本参数还可(ke)以我以为精(jing)准度(du)阐发(fa)Cu⁰（黑色金属(shu)）ꦬ和(he)Cu₂O。

图3. PHI XPS Handbook附则中Cu俄歇参数设置(zhi)。

俄歇(xie)峰(feng)(feng)(feng)接(jie)触三大能(neng)(neng)级(ji)（如(ru)(ru)KLL、LMM等），因为其谱(pu)(pu)峰(feng)(feng)(feng)峰(feng)(feng)(feng)形复杂化(hua)且笼盖(gai)较(jiao)(jiao)(jiao)宽的(de)(de)(de)热量(liang)(liang)转(zhuan)(zhuan)换(huan)(huan)(huan)范(fan)围，这才(cai)可(ke)以(yi)即使对(dui)芯(xin)能(neng)(neng)级(ji)光电(dian)技术子谱(pu)(pu)峰(feng)(feng)(feng)（如(ru)(ru)Co 2p、Mn 2p等）的(de)(de)(de)定性处(chu)理与按(an)量(liang)(liang)阐发(fa)的(de)(de)(de)转(zhuan)(zhuan)变成较(jiao)(jiao)(jiao)着(zhe)搅(jiao)(jiao)扰(rao)。值当(dang)重(zhong)视起来的(de)(de)(de)是🅺，俄歇(xie)峰(feng)(feng)(feng)的(de)(de)(de)热量(liang)(liang)由(you)跃迁能(neng)(neng)级(ji)议案，而(er)于在(zai)(zai)XPS谱(pu)(pu)该图的(de)(de)(de)表🍒观连(lian)接(jie)能(neng)(neng)道德水准则与激(ji)发(fa)出源(yuan)(yuan)(yuan)热量(liang)(liang)转(zhuan)(zhuan)换(huan)(huan)(huan)相干。打无边无际，当(dang)分离接(jie)收Al Kα（1486.6 eV）和(he)Mg Kα（1253.6 eV）X放(fang)射线(xian)源(yuan)(yuan)(yuan)时，一(yi)致性俄歇(xie)峰(feng)(feng)(feng)的(de)(de)(de)热量(liang)(liang)虽坚定相同，但因连(lian)接(jie)能(neng)(neng)较(jiao)(jiao)(jiao)真(zhen)体例(li)本(ben)质区别，其在(zai)(zai)谱(pu)(pu)该图的(de)(de)(de)道德水准将造(zao)成与激(ji)发(fa)出源(yuan)(yuan)(yuan)热量(liang)(liang)转(zhuan)(zhuan)换(huan)(huan)(huan)差值（Δhv=233 eV）绝相对(dui)应(ying)的(de)(de)(de)位移量(liang)(liang)。一(yi)种基(ji)本(ben)特征(zheng)为的(de)(de)(de)转(zhuan)(zhuan)变俄歇(xie)峰(feng)(feng)(feng)搅(jiao)(jiao)扰(rao)供(gong)应(ying)了(le)事实给出：经过(guo)(guo)过(guo)(guo)程(cheng)在(zai)(zai)挑(tiao)选本(ben)质区别激(ji)发(fa)出源(yuan)(yuan)(yuan)（如(ru)(ru)Al靶(ba)(ba)或Mg靶(ba)(ba)），才(cai)可(ke)以(yi)即使使俄歇(xie)峰(feng)(feng)(feng)在(zai)(zai)连(lian)接(jie)能(neng)(neng)轴上造(zao)成可(ke)以(yi)控(kong)制偏差，以(yi)此必(bi)免与战(zhan)略方针芯(xin)能(neng)(neng)级(ji)谱(pu)(pu)峰(feng)(feng)(feng)的(de)(de)(de)堆叠(die)地方。打无边无际，在(zai)(zai)NCM锂电(dian)池阐发(fa)中(zhong)，充(chong)分利用(yong)Al靶(ba)(ba)时Ni LMM俄歇(xie)峰(feng)(feng)(feng)与Co 2p和(he)Mn 2p基(ji)本(ben)特征(zheng)峰(feng)(feng)(feng)发(fa)生堆叠(die)，而(er)切(qie)换(huan)(huan)(huan)桌面至Mg Kα（1253.6 eV）激(ji)发(fa)出源(yuan)(yuan)(yuan)后(hou)，俄歇(xie)峰(feng)(feng)(feng)偏差导致此二者的(de)(de)(de)分手了(le)度较(jiao)(jiao)(jiao)着(zhe)成为。是以(yi)，在(zai)(zai)XPS阐发(fa)中(zhong)，经过(guo)(guo)过(guo)(guo)程(cheng)换(huan)(huan)(huan)靶(ba)(ba)手艺活可(ke)完毕俄歇(xie)峰(feng)(feng)(feng)道德水准的(de)(de)(de)劳(lao)务费用(yong)控(kong)制，好使避开其对(dui)芯(xin)能(neng)(neng)级(ji)谱(pu)(pu)峰(feng)(feng)(feng)的(de)(de)(de)搅(jiao)(jiao)扰(rao)。

图4. XPS中的俄歇峰(feng)

AES中(zhong)的俄歇(xie)谱(pu)图

AES进行(xing)场释放出(chu)智(zhi)能(neng)(neng)源(yuan)是 测试(shi)探(tan)针，不只都可以(yi)通过(guo)(guo)tcp连接(jie)从样品英文的(de)外貌(mao)唤(huan)起出(chu)四次智(zhi)能(neng)(neng)以(yi)查看的(de)外貌(mao)描摹，还能(neng)(neng)通过(guo)(guo)tcp连接(jie)试(shi)探(tan)俄(e)(e)歇(xie)(xie)智(zhi)能(neng)(neng)，使(shi)用的(de)外貌(mao)营养成分(fen)阐发。俄(e)(e)歇(xie)(xie)跃(yue)迁(qian)tcp连接(jie)表示(s🐟hi)，俄(e)(e)歇(xie)(xie)智(zhi)能(neng)(neng)的(de)势(shi)能(neng)(neng)只与水分(fen)子路轨能(neng)(neng)级(ji)相(xiang)干(gan)，而与入(ru)射(she)(she)智(zhi)能(neng)(neng)精(jing)力想关，是以(yi)俄(e)(e)歇(xie)(xie)智(zhi)能(neng)(neng)的(de)势(shi)能(neng)(neng)被视作区分(fen)化(hua)学(xue)无素(su)(su)“指纹密码"特色(se)。如下图(tu)5如下，在(zai)AES的(de)接(jie)间俄(e)(e)歇(xie)(xie)谱图(tu)例(li)，除俄(e)(e)歇(xie)(xie)智(zhi)能(neng)(neng)外，还包罗(luo)四次智(zhi)能(neng)(neng)和(he)背散射(she)(she)智(zhi)能(neng)(neng)。俄(e)(e)歇(xie)(xie)智(zhi)能(neng)(neng)旌(jing)旗(qi)灯(deng)号以(yi)可以(yi)说较小(xiao)的(de)谱峰态势(shi)显(xian)现(xian)出(chu)来，并重叠在(zai)四次智(zhi)能(neng)(neng)和(he)背散射(she)(she)智(zhi)能(neng)(neng)的(de)延(yan)续(xu)本底(di)上(shang)。是以(yi)，成了(le)缩减本底(di)旌(jing)旗(qi)灯(deng)号并搞好俄(e)(e)歇(xie)(xie)旌(jing)旗(qi)灯(deng)号，俄(e)(e)歇(xie)(xie)智(zhi)能(neng)(neng)谱图(tu)需(xu)耍中止微(wei)分(fen)加工。通过(guo)(guo)tcp连接(jie)AES微(wei)分(fen)谱图(tu)例(li)俄(e)(e)歇(xie)(xie)峰位的(de)势(shi)能(neng)(neng)、峰形和(he)可以(yi)说构造都可以(yi)或是对化(hua)学(xue)无素(s꧃u)(su)中止识别。

图5. 俄歇谱数字(zi)代(dai)表图。

AES作(zuo)一(yi)种生活(huo)提高长辈的(de)微(wei)(wei)(wei)(wei)自(zi)(zi)(zi)(zi)动(dong)(dong)化器件(jian)(jian)束(shu)(shu)测(ce)(ce)试检(jian)测(ce)(ce)器研究方(fang)法(fa)(fa)手(shou)(shou)工(gong)艺活(huo)，在nm级(ji)级(ji)乃至更高一(yi)些要求的(de)位置分辩原则上(shang)探(tan)求出了上(shang)风(feng)，是(shi)以(yi)(yi)很(hen)是(shi)好用(yong)于nm级(ji)原则资(zi)科的(de)研究方(fang)法(fa)(fa)。与扫码微(wei)(wei)(wei)(wei)自(zi)(zi)(zi)(zi)动(dong)(dong)化器件(jian)(jian)高倍光学(xue)显(xian)(xian)微(wei)(wei)(wei)(wei)镜（SEM）和(he)(he)自(zi)(zi)(zi)(zi)动(dong)(dong)化散(san)射(she)微(wei)(wei)(wei)(♌wei)自(zi)(zi)(zi)(zi)动(dong)(dong)化器件(jian)(jian)高倍光学(xue)显(xian)(xian)微(wei)(wei)(wei)(wei)镜（TEM）等通过微(wei)(wei)(wei)(wei)自(zi)(zi)(zi)(zi)动(dong)(dong)化器件(jian)(jian)束(shu)(shu)测(ce)(ce)试检(jian)测(ce)(ce)器的(de)手(shou)(shou)工(gong)艺活(huo)比(bi)如，AES在微(wei)(wei)(wei)(wei)自(zi)(zi)(zi)(zi)动(dong)(dong)化器件(jian)(jian)束(shu)(shu)自(zi)(zi)(zi)(zi)动(dong)(dong)对焦(jiao)这样(yang)这样(yang)才(cai)能(neng)(neng)上(shang)表(biao)现形式超卓(zhuo)，格外是(shi)场发(fa)射(she)成功微(wei)(wei)(wei)(wei)自(zi)(zi)(zi)(zi)动(dong)(dong)化器件(jian)(jian)束(shu)(shu)手(shou)(shou)工(gong)艺活(huo)的(de)融进，明显(xian)(xian)地普升了其位置分辩这样(yang)这样(yang)才(cai)能(neng)(neng)。图6轻快(kuai)展(zhan)露了粉末的(de)面扫影(ying)象和(he)(he)其在优越性选用(yong)区(qu)县(xian)的(de)AES谱图，使专(zhuan)题会者才(cai)可以(yi)(yi)和(he)(he)一(yi)目了解(jie)地查看资(zi)科本身各稀土风(feng)格的(de)散(san)播自(zi)(zi)(zi)(zi)然环境，涉(she)及稀土风(feng)格生物富(fu)集区(qu)和(he)(he)稀土风(feng)格间的(de)这样(yang)作(zuo)用(yong)等妙趣整体细(xi)节。

图(tu)6. 颗粒(li)肥(fei)料面扫(sao)影(ying)象(xiang)和不一🎐样价值(zhiꦐ)的(de)AES谱图(tu)。

XPS与AES的具(ju)体区别(bie)對照

思(si)虑题：为什末1486 eV提起(qi)下(xia)XPS≠AES？XPS只(zhi)要是认识(shi)自(zi)己(ji)Al Kα（1486 eV）Xx射线提起(qi)，如(ru🐼)果AES再♔生利用 1486 eV智能电子束提起(qi)，AES可非都可以(yi)而你得到和XPS如(ru)此的谱图？

这(zhei)一项(xiang)填空(kong)题的关键是智(zhi)能无(wu)线束-智(zhi)能无(wu)线我们之间感召(zhao)（如(ru)XPS）与智(zhi)能无(wu)线-智(zhi)能无(wu)线我们之间感召(zhao)（如(ru)AES）的从根(g🐻en)本上来说(shuo)差异：

★ XPS中(zhong)光(guang)(guang)波(bo)-光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)子(zi)两(liang)个人度化：X放X射(she)(she)线(xian)（光(guang)(guang)波(bo)）途经过程中(zhong)光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)边际效(xiao)应(ying)与芯(xin)能(neng)(neng)级光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)子(zi)两(liang)个人✃度化，光(guang)(guang)波(bo)（hv）将(jiang)全数能(neng)(neng)力是(shi)什(shen)么转变给光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)子(zi)，光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)子(zi)肇事出原子(zi)结构束厄窄小而会出现光(guang)(guang)光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)子(zi)。该光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)过程中(zhong)遵循能(neng)(neng)力是(shi)什(shen)么守恒：KE=hv-BE-Φsp。式中(zhong)，KE是(shi)XPS中(zhong)出射(she)(she)光(guang)(guang)光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)子(zi)的(de)弹性势能(neng)(neng)，由入(ru)射(she)(she)X放X射(she)(she)线(xian)的(de)能(neng)(neng)力是(shi)什(shen)么hν、光(guang)(guang)光(guang)(guang)学(xue)(xue)材(cai)(cai)(cai)料(liao)子(zi)的(de)连(lian)接(jie)能(neng)(neng)BE和测量(liang)仪(yi)器功变🐈量(liang)Φsp来(lai)议案的(de)。

★ AES中网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备-网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备两方(fang)感(gan)召：一般(ban)量网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备轰击水(shui)分子(zi)(zi)时，入(ru)射(she)(she)(she)网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备与工(gong)程材料水(shui)分子(zi)(zi)核(he)、核(he)外(wai)钢轨(gui)网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备或(huo)库仑(lun)场引(yin)发(fa)(fa)一类别冗杂(za)的两方(fang)感(gan)召，该(gai)任务管理器(qi)不(bu)(bu)从不(bu)(bu)减(jian)化网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备运动标识(shi)原(yuan)则，还有就(jiu)是动量和电(dian)(dian)能也就(jiu)会有所变(bian)动。此(ci)(ci)中入(ru)射(she)(she)(she)网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备与水(shui)分子(zi)(zi)内(nei)(nei)壳层网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备碰(peng)撞(zhuang)现象(xiang)试验，入(ru)射(she)(she)(she)网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备将精(jing)力(li)转(zhuan)(zhuan)交给内(nei)(nei)壳层网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备，其身内(nei)(nei)壳层网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备会被电(dian)(dian)离引(yin)发(fa)(fa)不(b🍌u)(bu)不(bu)(bu)减(jian)的空位，退(tui)唤起任务管理器(qi)中引(yin)发(fa)(fa)俄歇网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备。入(ru)射(she)(she)(she)网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备起始电(dian)(dian)能为 E0，碰(peng)撞(zhuang)现象(xiang)试验后(hou)衰竭精(jing)力(li) ΔE，此(ci)(ci)中 ΔE≥Eb （Eb为内(nei)(nei)壳层网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备的聯系能）。入(ru)射(she)(she)(she)🐠网(wang)(wang)(wang)络(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)(luo)设(she)(she)(she)(she)备残剩(sheng)电(dian)(dian)能为 E0−ΔE，被电(dian)(dian)离电(dian)(dian)子(zi)(zi)器(qi)材认定(ding)机械能为 ΔE−Eb。可(ke)以看出(chu)优越(yue)性(xing)于光電(dian)不(bu)(bu)确定(ding)性(xing)，被电(dian)(dian)离微(wei)微(wei)电(dian)(dian)子(zi)(zi)都是赢得入(ru)射(she)(she)(she)微(wei)微(wei)电(dian)(dian)子(zi)(zi)的凡事能量转(zhuan)(zhuan)换。

会因为(wei)激光-光手机(ji)你我(wo)作用与光手机(ji)-光手机(ji)你我(wo)作用的从根本(ben)上来说分别，殊(shu)不知通过不异的提起(qi)电能（如(ru)𓄧1486 eV），AES和XPS谱图(tu)仍会显(xian)示较着🐬分别。

-男模博客于《PHI外表面阐发 UPN》篇文(wen)章