►生成物先容

德国Freiberg Instruments的MDPicts（MDP微波探测光引诱电流瞬态谱仪--少子寿命)，非发动战争且无毁伤，中用湿度不仅的许多载流子使用期限精确测量和半导体行业的接口骗术和体骗术能级的电动机能表现。MDpicts（MDP微波探测光引诱电流瞬态谱仪--少子寿命)将在半导体行业资科的从来专题会与确立基本概念可以获得广泛的操作。

►装备特色

 --活(huoꦓ)(huo)动度：对半导💝体器件个(ge)人信(xin)息(xi)电学(xue)缺(que)陷有很是高(gao)的活(huo)(huo)动度
 --环境(jing)温(wen)度(du)因素总量：液(ye)氮(dan)(77🐓k)至500k。自选(xuan):液(ye)氦(4k)或更为🦄重要(yao)环境(jing)温(wen)度(du)因素
 --衰(shuai)减常数经营规模：20纳秒(miao)到几毫秒(miao)
 --沾(zhan)污加🌠测(ce)：电学设套之(zhi)本身体认可：修(xiu)改密码能和设套🐭的(de)掳(lu)获受力，受室内(nei)温度和获取  程(cheng)度较的(de)影(ying)响的(de)少(shao)子保修(xiu)期基本参数等
 --对此性：> 99.5%，仗量之时：< 601分钟。液氮耗损(sun)：2升/次
 --矫捷性：从365 nm 到1480nm，遵照优越性資料选用优越性光的波长(zhang)提(🌱ti)起LED光源
 --可(ke)拜候性(♎xing)：针对IP的(de)工作体系同意来自于天地其(qi)它地方的(de)包车支配和学手艺撑持

图(tu)1. 与温度(du)因素有关的(de)的(de)载流子发(fa)射卫星瞬(shun)态

图2. 的(de)区(qu)别瑕疵(ci)的(de)测(ce)评

从(cong)Arrhenius斜率(图3)可(ke)以自然碱化能

图3.Arrhenius弧度图

༺调控一类最(zui)新科技MDPpicts的装备，可在(zai)20~500k大(da)小内勘界湿度(du)取决于性的瞬态(tai)光学导。

Si, GaAs, InP, SiC和以(yi)外良(liang)多半导体设备信息已(yi)变功接(jie)收(shou)了(le)之(zhi)类体例暂(zan)停专题讨论。&nbsဣp; 

图4. 的差别(bie)水(shui)温的Cz-Si晶圆片的MD-PICTS图谱