即时有效阐发（Failure Analysis）是浅析元电子元件即时有效本元的第一步手肘，意在为元电子元件个人规划、新工艺、做等的流程提供的改进标有对方，若想升职物质良率和靠经得住性。在即时有效阐发中，每每触碰到异型电子元件，其不规律的外表与多样配件构造的结构特征特意较着，间接性影响力着物质的可以。值当讲求的是，结构特征规格在纳米/亚纳米职务级别的异型电子元件的分析方法每每的存在着多个挑衅。一立等方面，出现异常于传统性阐发裝备的面积分辩功能，元电子为了满足电子时代发展的需求，元件狗瘟特征的微区阐发会会遇到很难精度位置手机定位系统和精度阐发的严重直接影响，相互直接影响了测试英文科技成果的精度性。对于此，PHI立异性聊天停售了扫码微专注型XPS手工艺，该手工艺凭仗小束斑Xx电子为了满足电子时代发展的需求，束的扫码功能，不仅进行了小束斑X-ray对微区精度阐发，还途经多线程微专注的Xx电子为了满足电子时代发展的需求，束扫码土样的外形带来首次电子为了满足电子时代发展的需求，影像（Scanning X-Ray induced secondary electron imaging，SXI），正确性突显相近SEM的土样的外形描摹特征，进行精度导航一体机地图和位置手机定位系统。此外， PHI XPS—GENESIS是全新一带的货物，还可以选择配扫码俄歇（SAM）车配件，集就成了砖面间分辩的SEM影像和AES事物影像功能，进行了原位XPS+AES的分离式化阐发，除理了微区表现中导航一体机地图难、位置手机定位系统难、准直阐发难的难题。其次每多上，异形3图片元元器件封装封装布置越来越、外观设计繁杂，如缝隙型、L型半导体行业场现象硫化锌管，在橫向和横项上均来源于较着相差。是以，全多上的、有的用的阐发战略决策，不仅必须 补救元元器件封装封装的描摹和多混合物在二维煽动上的有困难，还是补救异形3图片件多混合物在深浅煽动的有困难。原位XPS+AES厨艺是可以有的用补救二维煽动有困难，而微区深浅阐发则来源于根本性困难。XPS深浅阐发，需取得联系铝化合物溅射厨艺，将印刷品逐级剥落，经途线程“采谱-刻蚀-采谱"的体例得到多混合物的深浅煽动。那可是，铝化合物束的刻蚀使用面积凡事很大的，普通型的XPS游戏装备每次深浅阐发可以得到两个位点的深浅申请这类卡种曲线方程提额范围之内，像征着可以对一种优缺点地方退出分析方法，无法知足同時对具俩个、邻接的微区优缺点印刷品的深浅阐发必须 。对此事，PHI扫描仪微焦聚型XPS是可以在次刻蚀线程中通時收罗FOV内俩个微区的XPS谱图，故而同時天生丽质好几条深浅申请这类卡种曲线方程提额。接好去，让你们一路路代祷PHI GENESIS，若何通过速度原位XPS+AES阐发发展计划，完全对异形图片半导体设备器材的终止阐发：

供试品内容

样品：SiO2/Si基底上的(de)缺点Au电极（无缺地区：OK；缺点地区：NG）

特点：异形(xing)件，仰(yang)望：存在多个邻接(jie)的特꧂(te)点(dian)地区；剖面：各(ge)组件以🐈嵌入(ru)式(shi)连系(xi)，且凹(ao)凸不平

尺寸：特(te)点(dian)地区（①和(he)②）的(de)大的(de)尺寸(cun)均在50微米之内，如图1所示    &nb🎃sp;           

图1. SiO2/Si基板上的缺点Au电极光学照片。 

生效阐发需要

目标：阐发器件生效的缘由

请求：1. 辨认(ren)NG地区缺(que)点/净化物(wu)的组分；

2. OK和NG各地描摹和多组分的二维杀伤；3. 分析方法该集成电路芯片的层功能分区。

面对的挑衅

挑衅一：NG地区并非只限于外表，👍实为(wei)嵌入式(shi)不法则(ze)块体(ti)，需(xu)停止外表+深度阐(chan)发(fa)😼。

挑衅二：在横向，NG存(cun)在两个(ge)邻接的、尺寸均在数(💝shu)十微米(mi)的特(te)点地(di)区(qu)，外表(biao)微区(qu)阐发(fa)时难以精确定位。

挑衅三：在(zai)纵向，该(gai)异形件差(cha)别(bie)地区深(shen)🌊(shen)度上组分差(cha)别(bie)较着，层(ceng)布局(ju)表(biao)征(zheng)中(zhong)不能只(zhi)靠传统的(de)(de)XPS深(shen)(shen)剖，还需完成深(shen)(shen)度标的(de)(de)目标上的(de)(de)微(wei)区阐发。

阐发打算

a. SXI汽车导航和手机市场定位：收罗样板外表面的SXI影象，通过流程SXI正确手机市场定位OK和NG省份，并成立公司测试测试点；b. 微区XPS：使用小束斑（10 um）收罗OK和NG测试仪区的XPS全谱和邃密谱，取得油烟净化系统物的成分和化学上的态，以阐发油烟净化系统物的来厉；c. XPS Mapping：途经的进程SXI界说面阐发东北部，收罗看上去的种元素XPS Mapping，以获取再生物在看上去的二维编造；d. AES Mapping：使用地面的间分辩的SAM车配件，原位收罗产品的样品看上去的SEM图案，和重元素的AES Mapping；e. 单点直接宽度阐发：经途速度SXI界说两个測試点，再控制氩紫装暂停刻蚀，直接获取两个測試点相互之间的宽度身材曲线。

外表阐发成果

长为2所显示，SXI体现了了试样外观的分子运动描摹，高精度追踪定位功能到宽度约为50 um的NG位置。进一大步地，操控微区XPS收罗全谱和邃密谱，表明弱项位置外源物首先是为BN。值得一看重视起来的是，虽NG位置紧靠SiO2/Si肌底，都是全谱中仍没有查测到Si无素，表明XPS的旌旗灯号瞄准于NG位置，达到了对微区的高精度追踪定位功能和阐发。另， XPS Mapping举例子地体现了了外观B、Au和Si无素的二维捏造事实，赚取地赚取了净化工程物的外观详细说明捏造事实环保。

图2. XPS微区阐发：缺点地区的SXI精确定位，精确组分阐发和元素XPS mapping。

使用XPS测量仪器的SAM扫描仪俄歇配件价格，进那步对该试样英文消停原位AES定量分析，其工作科技成果下图3图甲中。SEM反映出比SXI最高的办公空间分辩性能，使试样英文表面的微描摹倍加很清楚了然。在AES mapping的视野下，B、Au和Si的散播区域与已经XPS Mapping隔阂，瑕疵內涵BN含氧量较少的沿海地区，有富C区，两种的散播重量显示互替。公测工作科技成果充分行为了两种对猫瘟特质混合物的定量分析性能。

图3. SAM（扫描俄歇）阐发：缺点地区的SEM图象和元素AES mapping

深浅阐发科技成果

途经多线程SXI分离在瑕疵（NG）、Au电极片（OK）和Si底材上界说了3个自测点，聯系Ar+消停XPS深浅阐发。成就如图如图是4如图是，PHI扫码型XPS可在微区域内急速来去扫码，也收罗这3个自测点的XPS谱图，然而也天生丽质3个深剖线条，间接地表明了该导形件在深浅标任务上的酚类化合物散布谣言自然环境。由此而知，得胜绘造出来该导形供试品的层的布置摸具。

图4. XPS多点同时深度阐发：多方位获得异形器件的多层布局模子。

PHI XPS以它微区XPS阐发才会为必然，再取得联系SAM功能辅件，努力创造一款功能做强与详细于合二为一的外形阐发设备。这一种乐队组合格外是在初次应答小小共同点和规划冗杂异型配件的判决书生效阐发上，可结束对微区共同点的精度地位和靠受得了的阐发，体现了出上风和切勿替代性。 

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