单晶体和(♒he)多晶硅片保修期(qi)测量(liang)极品装备(bei)用在复(fu)杂化的数据专题讨论和(he)开拓(tuo)了(le)。         ;

特色：        

◇  通络度：高的通络度，使用于可视化分(fen)析至今到(dao)止不可見的瑕🦩疵和(he)查讯摆(bai)放理(li)念(nian)层(ceng)的环境        

◇  仗量速率(lv)单位：69英寸硅(gui)片<🧔;5min，分ℱ(fen)辩率(lv)有1mm       &nbsp;

◇  平均(jun)寿命面积：20ns到一百多ms   &n🐭bsp;    

◇  再(zai)生(sheng)测定方法：出于坩埚和技能(neng)的复合(he)（铁）再(zai)生(sheng)       ꧙&nbsp♓;

◇  仗量才行：从割孔好的(de)硅片到加工厂的(de)产品的(de𝔉)样品   &nbsp;    

◇  矫(jiao)捷性：结实的(de)精(j🧸ing)确测量头(tou)就能够(gou)与里面的(de)离(li)子束器毗连并促ꦆ发        

◇  靠(kao)得下性：方案化和松懈型(xing)台(tai)型(xing)仪器设(she)备(bei)，靠(kao)得下性越(yue)来越(yue)高，一样 ൲行驶(shi)同时>99%        

◇ 🎶; 复发性(xing)：>🧸 99% &nbsp;      

◇  电(dian)阻功率(lv)功率(lv)率(lv)：电(dian)阻功率(lv)功率(lv)率(lv)勘测(ce)，不(bu)可频仍较🌱准(zhun)     &nbsp;  

       
手艺规格:         

MDPmap单晶和多晶硅片寿命丈量仪 - 细节：       

◇  MDPmap被指导思想连成(cheng)一片个时(shi)(shi)紧时(shi)(shi)松的(de)台型(xing)非作战电学表现物(wu)质，适(shi)用网页版产出(chu)合理(li)(li)或(huo)研发(fa)项目管(guan)理(li)(li)，在稳定或ꦯ(huo)短(duan)脉冲发(fa)生器支(zhi)持（μ-PCD）下，在某个宽的(de)引(yin)入(ru)产值内(nei)精确测量技(ji)术指标(biao)，如载(zai)流(liu)子使用期、光导率、电阻(zu)器率和优缺点(dian)资(zi)讯。及时(shi)(shi)化的(d𝐆e)原材料辨(bian)别和技(ji)术指标(biao)使用批准(zhun)愉快顺应潮流(liu)各大区別个原材料，包含了内(nei)在层和颠末区別制法时(shi)(shi)段.的(de)晶(jing)圆，从(cong)原本晶(jing)圆到敢达95%的(de)塑料化晶(jing)圆。        

◇  MDPmap的(de)(de)(de)(de)关(guan)键我的(de)(de)(de)(de)缺点(dian)是它的(de)(de)(de)(de)长(zhang)度(du)矫捷(jie)性(xing)，例子，它可(ke)证ibms几厘米十个脉冲光器(qi)，用来侧量从(cong)较低到高的(de)(de)(de)(de)赋予(yu)层度(du)的(de)(de)(de)(de)使(shi)(shi)用时间，或通(tong)过(guo)过(guo)程中 合理利用差(cha)的(de)(de)(de)(de)脉冲光光波波长(zhang)分离出进(jin)一(yi)步(bu)新(xin)信息。蕴含偏(pian)置光政(zheng)策机制机制，和μ-PCD或准稳态赋予(yu)目的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(💫de)(de)页面。可(ke)能用差(cha)的(de)(de)(de)(de)舆图停掉(diao)(diao)买家界(jie)说的(de)(de)(de)(de)比较，也可(ke)能导出核心数值(zhi)停掉(diao)(diao)进(jin)一(yi)歩点(dian)评。对规则的(de)(de)(de)(de)压力容(rong)器(qi)检验使(shi)(shi)命(ming)感，预界(jie)说的(de)(de)(de)(de)规则要是按紧(jin)的(de)(de)(de)(de)开关(guan)按钮(niu)就(jiu)可(ke)能停掉(diao)(diao)一(yi)贯(guan)的(de)(de)(de)(de)精确(que)测量。            

 附加选项：        

◇  光点非(f♛ei)己的改变&nbsp; &𝓀nbsp; &nbsp;  

◇  电容率测(ce)量（晶圆） &nbsp;      ꧅;

🐟◇  方块阻值        

◇  的背景/偏光  ;    🍬;🔴  

◇  射线(xian)勘(kan)界(jie)（MDP）𓆉        ꦜ;

◇ &nbsp;太(tai)阳升起能电ꦕ池充(chong)电的LBIC（分散式(shﷺi)大小侧量）        

◇  偏压MDP   &nb💙sp;   &🌄nbsp;

◇  参考资料晶(jing)圆 &🍒nbs🐻p; &nbsp;    

◇  硅的内壁/内壁铁(tie)图 &n🐷bsp;   &nbsp;  

◇ &nb꧋sp;融合加水台     💃   

◇  矫捷的机光器设为技能摆好(hao) 

MDPmap单晶和多晶硅片寿命丈量仪 - 侧量范例：

MDPmap 利用：

铁溶液浓度测试        

铁的(de)含(han)量(liang)的(de)切确(que)检(jian)测长度(du)常具体的(de)，正(zheng)因为(wei)铁是硅中宏(hong)伟(wei)也是无毒(du)性的(de)瑕疵(ci)其中之一。是以，有要尽(jin)可(ke)精(jin🌠g)确(que)度(du)和急(ji)速(su)地仗量(liang)铁含(han)量(liang)，兼具很是高(gao)的(de)分辩率(lv)且**是线下的(de)        

更加多......        

搀杂供试品的光电技术导率测量        

B和P的(de)(de)搀杂在微电(dian)子(zi)产业中有很多利(li)用，但到(dao)今(jin)朝为止(zhi)，不(bu)体例(li)能(neng)够在不(bu)打仗(zhang)样品和因(yin)为须要(yao)的(de)(de)退火步(bu)骤而转(zhuan)变(bian)其性子(zi)的(de)(de)环境下查抄这(zhei)些搀杂的(de)(de)评均(jun)性。迄今(jin)为止(zhi)的(de)(de)坚苦(ku)……        

更好......        

套路含量测定法        

圈(quan)(quan)套中(zhong)(zhong)间长短常主要(yao)的(de)，为(wei)了领会资(zi)料中(zhong)(zhong)载流子的(de)行动(dong)，也能(neng)够(gou)对太阳(yang)能(neng)电池(chi)发生影响。是以，须要💙(yao)以高分辩率(lv)丈量这些圈(quan)(quan)套中(zhong)(zhong)间的(de)♉牢笼容重和碱化能(neng)。        

其他......        

植入相干侧量        

多(duo)数载(zai)流子寿(shou)命(ming)激烈依靠于注(zhu)入(多(dꦡuo)余(yu)余(yu)载(zai)流子浓度(du)(du))。从寿(shou)命(ming)曲线的外形和高度(du)(du)能够揣度(du)(du)出(chu)搀杂组合(he)中间的和吸引中央的信息。        

其他......