PHI Genesis 500是新那代设有防具摆好了全及时多保健作用扫描软件凝聚X 光谱线光电产品子能谱，易操作式多保健作用加配超大附件，也能即便搞定全及时印刷品传承停车，与此同时还必备条件高机转大占地面和微区XPS 阐发，迅速精准度强度细化，为充电、半导体材料、有机元件和另外各基本要素供求关系多各方面面的清理项目。

关头手艺

易操作式多营养价值选(xuan)购(gou)有附件

全主动地样板传送放(fang)置

高包能大户型面积和(he)微区XPS 阐(chan)发

急速精准度强度分解掉(diao)

为容量电池(chi)、半导体材料(liao)、无机物元器(qi)件和(he)任何各基本(ben)原则提供了🌠双问题治疗工作方案(an) 

简要易控制

PHI X射线光电子能谱仪供给了一种全新的用户休会，仪器高机能、全主动化、简略易操纵。
操纵界面可在统一个屏幕内设置惯例和高等的多功效测试参数，同时保留诸如进样照片导航和SXI 二次电子影
像精肯定位等功效。

简略友爱的用户界面

PHI GENESIS 市(shi)场机(ji)制一堆个概(gai)括(kuo)、直接(jieꦉ)且易(꧙yi)操控的(de)(de)(de)(de)朋友页面(mian)，对操控工作人员(yuan)很是团结，操控工作人员(yuan)明确(que)概(gai)括(kuo)的(de)(de)(de)(de)设计操控便可(ke)成功(gong)包罗所有的(de)(de)(de)(de)配置(zhi)超大附件以外的(de)(de)(de)(de)主动(dong)权(quan)化阐发。

多作用与功效选装零件

原位的(de)多(duo)好处(ch🐷u)会(hui)去主动化阐(chan)发，涉及(ji)了从LEIPS 测式导带入HAXPES 芯(xin)能(neng)级带来的(de)全大小(xiao)技艺，移觉于中(zhong)国传统的(de)🎃XPS 现阶段，PHI GENESIS 主要表现了*的(de)激(ji)活能(neng)价(jia)格。

好治疗项目：

高机转XPS、UPS、LEIPS、REELS、AES、GCIB 及种其中选用辅助件可能知足任何事物外形阐发应该要。

大都量样品大面积阐发

把提纯好供试品的供试品托放至进样腔室后将及时信息传递进阐发腔室内设计可同一支配5个土样托80mm×80mm 的大样品管理管理托可安装大都市量样品管理管理可阐发碎末、粗拙相貌、绝缘性体、形壮繁多等各种各样百般合格品

可聚焦≤ 5μm 的微区X 射线束斑

在PHI GENESIS 中，聚焦点打印机扫描X x射线源才能勾起分批电子器材无线影象（SXI），支配分批电子器材无线影象才能终止网站导航、精认可位、多点儿大规模区一并阐发检测和的深度转换。

下跌提升的第二次光学影象（SXI）
二次电子(zi)影象（SXI）精肯(ken)定位(wei)，保障(zhang)了所见即所得。*的5𝓀μmX 射线(xian)束斑为微区XPS阐发利用供给了新的机缘。

PHI X射线光电子能谱仪疾速深度分解

PHI GENESIS 可完整高包能的深入.分析。整合X X射线源、高骨康丸度检测器、高包能氩化合物极品装备和极有效率双束中合体制可完整全活跃深入.分析，包罗在全部统一个溅射刻蚀坑内开始找色与此同时阐发。

高机转的深层分解成方能

( 下图左) 全固态电池薄膜的深度分解。深度剖面清楚地显现了在2.0 μm 以下富Li 界面的存在。
( 下图(tu)右) 在LiPON 膜堆积(ji)早期，能够看到(dao)氧从LiC♏oO2 层转移(yi)到(dao♐)LiPON 层中，使Co 在LoCoO2 层富Li 界面由(you)氧化态复原为(wei)金属态。

角分辩XPS 阐发

PHI GENESIS XPS 的高舒经度微区阐发和特别可重新的采和后能保证了对产品的供试品角分辩阐发的*后能。别处，产品的供试品歪斜和产品的供试品扭转弹簧相联系，可而且来完成多角度的高分辩率和养分的高分辩率。

利用范畴

首要利用于电池、半导体、光伏、新动力、无机器件、纳米颗粒、催化剂、金属资料、聚合物、陶瓷等固体材
料及器件范畴。
用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等范畴的进步前辈功效资料都是庞杂的多组分资料，其研发依靠于化学结
构到机能的不时优化。ULVAC-PHI,Inc. 供给的全新外表阐发仪器“PHI GENESIS” 全主动多功效扫描聚焦X 射线
光电(dian)子能(neng)谱仪，具备*机能(neng)、高主动(dong)化和矫ꦇ捷的扩(kuo)大才能(neng)，能(neng)够知(zhi)足𝓡(zu)客户的一切(qie)阐(chan)发须要。

PHI GENESIS 多功效阐发平台在各类研讨范畴的利用

电池充电 (AES + Transfer Vessel)

“LiPON/LiCoO2 横截面的 pA-AES Li 化学成像”
Li 基资料比方LiPON，对电子束辐照敏感。
PHI GENESIS 供(gong)꧑给的(de)🍰高(gao)活(huo)络度能(neng)量阐(chan)发(fa)器能(neng)够在低(di)束流（300pA）下疾(ji)速获得AES 化学成像(xiang)。

三聚氰胺树脂元器件封装 (UPS / LEIPS + GCIB)

操纵UPS/LEIPS 和Ar-GCIB 丈量能带布局
（1）C60 薄膜外表
（2）C60 薄膜外表洁净后
（3）C60 薄膜/Au 界面
（4）Au 外表
经(jing)由(you)过程UPS/LEIP༺S 阐(chan)发和Ar-GCIB 深度分解(jie)能够肯定(ding)无机(ji)层的能级布局。

半导体 (XPS + HAXPES)

半导体行业配件但凡事由包罗诸多种元素的复杂化透气膜构造，这句话的研发部门但凡事需注意对对话框处的检查是否态变慢无损格式阐发。考虑到从深处对话框刷出产品信息，钢巴栅极氧化的膜下的GaN，调控HAXPES 是很是有需注意的。

微电子 (HAXPES)

细小焊锡点阐发
HAXPES 阐发(fa)数据显现金属(shu)态(tai)Sn 的(de)含量(liang)高于XPS 阐发(fa)数据，这是(shi)因为Sn 球外(wai)表被氧化(hua)，跟着深(shen)(shen)度(du)的(de)加深(shen)(shen)，金属(shu)态(tai)Sn的(de)含量(liangඣ)越(yue)高，恰好合适HAXPES 阐发(fa)深(shen)(s🔜hen)度(du)比(bi)XPS 深(shen)(shen)的(de)特色。