PHIGENESIS Model 900 for HAXPES

无需溅射刻蚀的深度摸索

下几代通明出现发亮材质 使用直径不低于约为10nm~50nm 的纳米技术量子点(QDs)，聯系使用 XPS(Al Ka X电子束)和 HAXPES(Cr Ka x电子束)对制定微观世界独具特色国家暂停阐发，才可以对 QDs 暂停大概的深度的方式 阐发。XPS 和HAXPES 的连接支配，是可以对nm粉末立即停止深度.分辩、按量和物理态阐发，为了杜绝铝离子束溅射诱发的毁伤。

‍

 

硬X射线光电子能谱(pu)仪HAXPES深层界面的阐发

在哪几种x光谱线源中，只是 Cr Ka XPs 能侦测到 Y0,下方留言板上连续本身面 14nm 处的 Cr层。线性拟合后的谱图可能了 Cr 的有机化学态。另一个，经过流程比较，光电科技子昌盛角90°和30°的 Cr Ka 谱图成果展发明人在较淡(本身面活动度越高)的昌盛角时，脱色反应物的程度较高，写明 Cr 脱色反应物在 Y,0,和 Cr 层内的表面。‍

PHI 硬X射线光电子能谱仪内核电子的探测

Cr Ka 供求了载荷系数的 Al Ka 不能够领取的内核电站子因为 Cr Ka 的低能光学子，任何时候有另一个载荷系数的跃迁能用的 于阐发。

凭借本质属性

重中之重充分利用于电池充电、光电功率电子元件、光伏系统、新推动力、有机功率电子元件、奈米颗粒肥料、离子液体剂、合金知料、聚合反应物、陶瓷图片等混合物知料及功率电子元件层面。使用在全固态硬盘电池箱、半导体技术、太阳能光伏、促使剂等基本特征的提高老一辈功较文件基本上繁多的两组分文件，其开发依赖于于化学物质平面布置到激活能的经常调优。ULVAC-PHI，Inc.提供了的最新上线看起来阐发医疗仪器“PHI GENESIS” 全活跃多功较扫一扫准确把握X电子束光電子能谱仪，掌握*激活能、高活跃化和矫捷的提高性能，可能知足客的凡事阐发应该要。 

PHI GENESIS 多好处 阐发渠道在各项专题会范筹的凭借

電池        AES/Transfer Vessel

“LiPON/LiCoO 2 横载面的 pA-AES Li 电学影像”Li 基数据例如 LiPON，对微电子束辐照特别敏感。PHI GENESIS 提供给的高通络度卡路里阐发器要在低束流（300pA）下飞速有 AES 药剂学显像。

无机器件     UPS/LEIPS/GCIB

控制 UPS/LEIPS 和 Ar-GCIB 勘界可以布局合理(1)C60塑料薄膜看起来(2)C60pet薄膜长相净化后(3)C60溥膜 /Au 对话框(4)Au 外形沿途阶段 UPS/LEIPS 阐发和 Ar-GCIB 层次葡萄糖氧化要能一定硅化物层的能级页面布局。

半导体材料    XPS/HAXPES

半导体材料电子元器件往往由包罗好多稀有元素的繁多胶片组成部分，同旁内角的科研往往要用对工具栏处的化学反应态停此无损音乐阐发。为了能够从深处工具栏得到 信息内容，目空一切栅极空气氧化膜下的 GaN，操作 HAXPES 的长短多有要用的。

微电子     HAXPES

狗瘟焊锡点阐发HAXPES 阐发统计数据分析显露合金材料态Sn 的含氧量大于 XPS 阐发统计数据分析，就是毕竟Sn 球外型被腐蚀，紧跟着深层次的提升，合金材料态Sn的含氧量越高，碰巧合理HAXPES 阐发深层次比 XPS 深的独特的。