PHI公司的PHI 710 俄歇电子能谱仪是一台设想的高机能的俄(e)歇(xie)电(dian)子能谱(pu)（AES）仪(yi)(yi)器(qi)。该装(zhuang)备能阐(chan)发(fa)纳(na)米(mi)级(ji)特色地(di)区,超薄薄膜和多层布(bu)局表界(jie)面(mian)的元素态(tai)和化学(xue)态(tai)信息。作为(wei)地(di)面(mian)间分(fen)(fen)辩(bian)率,高活(huo)络度和高能量分(fen)(fen)辩(bian)率的俄(e)歇(xie)电(dian)子能谱(pu)仪(yi)(yi), PHI 710能够为(w🐎ei)用户供给纳(na)米(mi)标准方面(mian)的各类(lei)阐(chan)发(fa)须(xu)要。

俄歇电子能谱仪 PHI 710 首要特色：

SEM分辩率≤ 3 nm, AES分辩率≤ 8 nm

在俄歇能谱的收罗阐发发展中，包含了谱图，深层次分离及原子造谣生事像，要用先在SEM图案上界说样机阐发位置，必然标准束斑网套直径小且不减。PHI 710的SEM图案的的前景分辩率相对比较3nm,AES的的前景分辩率相对比较8nm(@20kV,1nA),低于图如图所示：

图2则是而对于铸件韧度破裂的画面阐发，左面是SEM图像,中央是钙、镁、钛的俄歇影像,左侧则是硫的俄歇影像,这美妙断定了PHI 710在nm级标准下的耐腐蚀态的阐发方能。

俄歇电子器材能谱仪 同轴筒镜阐发器（CMA）：

PHI 平台電子游戏装备和阐发器同轴的很多构想,享有活动度大和视线中无遮拦的一大特色,知足了实际的冗杂图纸对俄歇阐发多个方面面定量分析这样才能的许要。右上图一样,任何东西俄歇的统计资料都要到粉末的各标识的目的查阅过来的,影像不暗影。若的辅助装备的辅助装备的非同轴阐发器,则仪器设备的活动度会下调,另外激光散斑有暗影,很多阐发地方会因为为道德水准的因何,而很慢阐发。倘若是如果想刷出高活动度,只是阐发正使用着阐发器的地方。下面图如图,若要对粉末的背后,粉末与粉末相互间的地方阐发,图相有 暗影。

俄歇智能电子能谱仪的普通机械态影像：

图谱影像

PHI710能从俄歇影像阐发的每种个清晰度点中转化成出谱图的相干企业信息,该功用也可以成功化学物质态影像。

微高量分辩率俄歇气体像

如图是是半导体技术单片机芯片自测阐发,自测的风格是Si。沿途的时候对Si的俄歇影象立即停止线型小二乘法线性拟合（LLS）,俄歇谱图很分明的物理化学反应出了5个Si的的差别物理化学态的国家,分别是：单质硅、氮氧化的硅和彩石硅,然后够从里面分别领取出相匹配的Si的俄歇谱图,如第一行三张图已知。

纳米级的薄膜阐发

一些SEM图相中,以硅为衬底的镍的pet贴膜上带缺陷,就是因此热处理回火后,在页面处定义了硅镍化学物质。分别在缺陷区县和普遍区县人设好几回个阐发点,阐发的前提为低动能分辩率组织形式下（0.1%）,网上束直径怎么算20nm,阳离子装配宽容0.5kV人设,一些图是一样的:在MultiPak工具中,适用小二乘拟合曲线法用在辨识不锈钢镍和硅镍化学物质,是一样的辨识不锈钢硅和硅化物。也可以断定,硅镍化学物质只的存在着于页面处,而在镍pet贴膜层和硅衬底中不的存在着。可,在镍涂覆的缺陷处,发简明扼要硅镍化学物质。

PHI SmartSoft-AES用户界面：PHI SmartS🎶oft是(shi)一个从用户须要(yao)动身而设(she)想的(de)(de)(de)软(ruan)件。该软(ruan)件经由过程(cheng)使命导向的(de)(de)(de)体(ti)例指(zhi)引(yin)用户导入样品,界说阐(chan)发点,并(bing)设(she)置阐(chan)发前(qian)提,能够让(rang)老手疾(ji)速,便(bian)利(li)地(di)测试样品,并(bing)且用户能够很便(bian)利(li)的(de)(de)(de)反复之前(qian)的(de)(de)(de)丈量。

PHI MultiPak 动态数据妥善处理pc软件：MultiPak软(ruan)件具(ju)有多方面的俄歇(xie)能谱数据(ju)库。采谱阐发,线扫描阐发,成像和(he)深度(du)分(fen)解的数据(ju)都能用MultiPak来处置(zh💟i)。软(ruan)件壮大的功效包含谱峰的定位,化学态(tai)信息及(ji)检(jian)测限的提(ti)取,定量(liang)测试和(he)图(tu)象的加强等。

 

选配件：

1.  真空度内原位试样泊放台；2.  原位脆断；3.   真空体传达着管；4.  预抽室导航栏手机拍照；5.   电商精力反射率探测系统器（EDS）；6.   电子器材背散射衍射测探器（EBSD）；7.   背散射光学观测器（BSE）；8.   把握亚铁离子束（FIB）；

俄歇电子厂能谱仪控制要素：

•光电元件集成电路芯片:不足之处阐发、蚀刻／卫生超过物阐发、烧坏试题阐发、实战净化后物阐发、对话框分布场景阐发、芯片封装试题阐发、FIB集成电路芯片阐发等。•提升器部件:问题阐发、蚀刻／洁净并用结余物阐发、出现短路标题阐发、打丈空气净化物阐发、接口协议分散性问题阐发等。•永磁铁保存器材:看上去高层、看上去无素、画质解聚阐发、施工缝优点问题阐发、看上去净化后物阐发、磁头优点问题阐发、用不完物阐发等。•金属材质、锰钢、夹层玻璃及卫浴陶瓷素材：外观堆放物阐发、无尘净化后物阐发、晶间晶界阐发等。